ماسفت OSG55R140F

550V 23A N-Channel MOSFET

TO-220

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor MOSFET ) . معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایه کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود. مدارهای مجتمع بر پایه فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایه ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از 85 درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایه فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ارسال به تمام استان های  کشوراز جمله: آذربایجان شرقی,آذربایجان غربی, اردبیل,اصفهان, البرز, ایلام, بوشهر,تهران,چهارمحال و بختیاری,خراسان جنوبی,خراسان رضوی, خراسان شمالی, خوزستان,زنجان, سمنان, سیستان و بلوچستان, فارس, قزوین, قم,کردستان, کرمان, کرمانشاه, کهگیلویه و بویراحمد, گلستان, گیلان,لرستان,مازندران, مرکزی,هرمزگان, همدان, یزد,مشهد,یاسوج,زاهدان ,شاهرود,دامغان,بم,اردبیل , تبریز, مازندران, رشت , ساری,اهواز, آبادان,بندرعباس،اهواز ، امیدیه