متداول‌ترین FET با گیت ایزوله‌ شده که در کاربردهای مختلفی به کار می‌رود، ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET) است. IGFET یا MOSFET یک ترانزیستور اثر میدان کنترل‌ شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و این تفاوت، یک الکترود گیت «اکسید فلز» است که از نظر الکتریکی نسبت به نیمه‌هادی اصلی کانال N یا کانال P با یک لایه بسیار نازک از ماده عایق‌ کننده (معمولاً اکسید سیلیکون) جدا شده است.

این الکترود گیت فلز ایزوله‌ شده بسیار نازک را می‌توان به عنوان یک صفحه خازن در نظر گرفت. ایزولاسیون گیت کنترل سبب می‌شود مقاومت ورودی ماسفت بسیار بزرگ و در محدوده مگااهم باشد.

از آن‌جایی که ترمینال گیت از نظر الکتریکی از کانال اصلی گذر جریان بین درین و سورس جدا است، مانند JFET هیچ جریانی از گیت عبور نمی‌کند و ماسفت نیز مانند یک مقاومت کنترل‌ شده با ولتاژ عمل می‌کند که در آن، جریان گذرنده از کانال اصلی، متناسب با ولتاژ ورودی است. همچنین، مشابه JFET، ماسفت‌ها نیز مقاومت ورودی بسیار بزرگی دارند و می‌توانند به سادگی مقادیر زیادی از بار استاتیکی را جمع کنند. بنابراین، اگر ماسفت به دقت محافظت نشود یا به درستی مورد استفاده قرار نگیرد، آسیب خواهد دید.

ماسفت‌ها قطعاتی با سه ترمینالِ گیت (Gate)، درین (Drain) و سورس (Source) هستند. این قطعات در انواع ماسفت کانال P یا PMOS و ماسفت کانال N یا NMOS و به دو فرم اساسی زیر در دسترس هستند:

• نوع کاهشی یا تخلیه‌ای (Depletion-mode MOSFET): برای خاموش (OFF) کردن ترانزیستور، باید ولتاژ گیت-سورس (VGS) را به آن اعمال کرد. ماسفت مد کاهشی، معادل با یک سوئیچ یا کلید «در حالت عادی بسته» (Normally Closed) است.
• نوع افزایشی (Enhancement-mode MOSFET): در این نوع، برای روشن (ON) کردن ترانزیستور، باید ولتاژ گیت-سورس (VGS) را به آن اعمال کرد. ماسفت مد افزایشی، معادل با یک سوئیچ یا کلید «در حالت عادی باز» (Normally Open) است.